ASML宣布首款采用0.55数值孔径（High-NA）EUV曝光设备已打印出第一个图案。根据最新贴文，ASML的High-NA EUV系统已成功打印出第一条10纳米密集线（dense lines）。

　　目前全球有两套High-NA EUV设备，一套在ASML荷兰总部Veldhoven制造，该公司与Imec有个High-NA联合实验室；另一套在英特尔美国俄勒冈州D1X芯片厂组装。ASML表示，其最新曝光设备已运送给第二间客户，外界预期可能是台积电。

　　英特尔预期通过最新High-NA EUV设备来量产芯片，不过首席执行官Pat Gelsinger最近先前提到不会用于Intel 18A制程，而是留到下一个主要节点，因此推测很可能是Intel 14A。

　　High-NA EUV技术采用0.55 NA的镜头，实现8纳米级别的分辨率，而标准的EUV技术使用0.33 NA的镜头。与Low-NA工具相比，该技术可印刷的晶体管尺寸缩小1.7倍，单次曝光的晶体管密度提高2.9倍。也因此，实现8纳米级别的制程对于3纳米以下制程技术相当重要，预期这种芯片将于2025-2026年问世。