英特尔芯片代工完成先进半导体制造迈出重大里程碑，其位于美国俄勒冈州希尔斯伯勒的英特尔研发基地，英特尔研发人员已完成业界首台商用高数值孔径极紫外光微影设备（High NA EUV）组装。

　　英特尔表示，此套由微影技术大厂艾司摩尔（ASML）供应的TWINSCAN EXE:5000 High-NA EUV微影设备，将开始进行多项校准步骤，预计于2027年激活、率先用于Intel 14A制程，协助英特尔推进未来制程蓝图。此设备将投复印刷成像到芯片的光学设计进行改造，明显提升下时代处理器的图像分辨率和尺寸缩放。

　　英特尔指出，High NA EUV微影设备在先进芯片开发和下时代处理器生产中扮演关键角色。英特尔芯片代工领先业界布局的High NA EUV微影设备，将为芯片制造带来前所未有的精准度和可扩展性，协助英特尔开发创新功能完善的芯片，加速推动AI和其他新兴技术的发展。

　　而ASML日前也宣布，位于荷兰费尔德霍芬总部的高数值孔径实验室首次打印出10纳米的高密度线路，创下EUV微影设备分辨率的世界记录，成为EUV微影设备迄今为止打印出最精细的线路。这项突破也让ASML的合作伙伴蔡司（ZEISS）在High NA EUV微影设备上的创新光学设计获得验证。

　　英特尔强调，在研发人员初步校准该设备机台的光学组件、传感器和平台后，High NA EUV已打印出突破性的图像，为完整运行奠定基石。ASML通过全领域光学微影系统打印出的10纳米高密度线路，为布局商用High NA EUV机台迈出关键下一步。另外，当High NA EUV微影设备与英特尔芯片代工服务的其他领先制程技术相结合时，打印尺寸预计将比现有EUV机台缩小1.7倍。也由于2D尺寸缩小，密度将提高2.9倍。英特尔将持续引领半导体产业发展更小、更密集的图案化（pattterning）技术，进一步延伸摩尔定律。

　　事实上，相较于0.33数值孔径的EUV微影设备，高数值孔径EUV微影设备（或0.55数值孔径的EUV微影设备） 可为类似的芯片尺寸提供更高的成像对比度，可减少每次曝光所需的进光量，并缩短每层打印时间，进而提高芯片厂的产能。

　　英特尔进一步强调，TWINSCAN EXE:5000系统的总重量超过150吨，将先分装于250多个货箱中，并集中装入43个集装箱，集装箱由多架货机运送至西雅图，再利用20辆卡车运输到俄勒冈州。之后，英特尔计划于2025年Intel 18A的产品验证以及未来Intel 14A的量产阶段，采用0.33和0.55数值孔径的EUV微影设备，并结合其他先进的微影制程技术，共同推进先进芯片的开发和制造，借此改善英特尔的先进制程技术成本与性能。

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