公司预计 2022 年实现营收 100 亿元左右（同比增长 39%左右），营业总成本将控制在 85 亿元左右（同比增长 41%左右）。
2022年4季度公司将根据安路科技市场价格确认其公允价值，公允价值变动将会对公司业绩造成一定影响。
2015年至2021年，公司折旧分别为1.79亿元、1.84亿元、2.42亿元、3.15亿元、3.77亿元、4.17亿元、4.65 亿元。5&6 吋折旧基本完成。8寸一期折旧变小，二期折旧每年2.14亿元，12寸和化合物产线%）。
杭州士兰集成、杭州士兰集昕、厦门士兰集科负责 5&6 吋、8 吋、12 吋晶圆制造；
5/6 英寸产能22万片/月， 2021年上半年产出122.5万片，全年产出255万片，同比增加 7.54%。
（1）8英寸：一期2020 年 6月的超过 5 万片/月，2020年底产能6万片/月。二期为原产线年总产出57万片，2021上半年产出31.65万片，2021年产出65万片。计划高压集成电路 12 万片/年；功率半导体芯片 26.4 万片/年；MEMS 芯片 4.8 万片/年；产品是高低压 MOS 管、SBD、IGBT 等功率半导体、MEMS 传感器、高压 BCD 电路等。（2）12英寸3万片/月， 2022年起建设3年，自筹资金39亿元。3、士兰集科：厦门半导体投资集团66.626%，
18.719%，大基金14.655%。12 英寸：一期4 万片/月（2021年建成，沟槽栅低压 MOS、沟槽分离栅 SGT-MOS、高压超结 MOS、TRENCH 肖特基、IGBT、高压集成电路等），二期2万片/月（2022 年建成，IGBT 类产品），2021上半年产出5.72万片，2021年产出20万片，2021年底月产能3.6万片；2022年3月产能 4.5 万片/月，2022Q4实现 6 万片/月。现有厂房后续还有继续扩大产能的空间。4、成都集佳，封装，全资
（1）智能功率模块IPM产能1亿只/年。完成（2）功率器件产能 10 亿只/年（MEMS传感器8.9亿只）完成。（3）MEMS 传感器 2 亿只/年。完成
（4）光电器件 4000 万只/年。完成（5）工业级和汽车级功率模块（PIM）80 万只/年。完成
（6）“汽车级和工业级功率模块和功率集成器件封装生产线建设项目一期”。资金为企业自筹。2022.6公告，建设期 2 年，达产期 2 年。截至 2021 年 12 月末，已完成项目进度 27%
封装汽车级功率模块720万只/年。自筹资金 30 亿元。2022.7公告建设周期为 3 年，成都-阿坝工业集中发展区，（12英寸产能将从2022.6近 4 万片/月增至 25 年 9 万片/月。此次封装扩建将匹配公司芯片制造能力）
34.72%。1、2021年底，第一期7万片/月4英寸GaN 和GaAS高端LED芯片的产能，20亿元的投资，其产品在小间距显示、mini LED显示屏、红外光耦、安防监控、车用 LED 等领域得到广泛应用。
2、2022.7化合物半导体第二期，“SiC 功率器件生产线建设项目”。建设一条 6 吋 SiC 功率器件芯片生产线 吋 SiC 功率器件芯片的产能（主要产品为 SiC MOSFET、SiC SBD）。碳化硅功率器件中试线年上半年通线，目前公司已完成车规级 SiC-MOSFET器件的研发，处于送样开始量产的阶段。产能方面士兰明镓一条 6吋 SiC 功率器件芯片生产线 年三季度实现通线年暂时没有规划硅基GaN器件的放量。今年化合物功率半导体重点先集中在车用的SiC芯片和模块上。硅基氮化镓的量产会稍延后一些，但研发力量会继续加强。
所占比例为 70%） 5/6/8 寸外延片稳定运行，12 寸顺利投产，至 21 年末合计年产 70 万片的产能，22 年公司将加大 12 寸外延片的投入。
士兰微所占比例为 57.78%，LED 芯片制造。杭州美卡乐光电士兰微所占比例为 99%，LED 芯片封装
（2） 成都士兰封装厂房扩建项目，该项目总投资为 6,462 万元，截至 2021 年 12 月末，已完成项目投资 7,484.07 万元，项目进度 99%。（3）成都士兰二期厂房及配套设施建设项目，该项目总投资为 15,949 万元，截至 2021 年 12 月末，已完成项目投资 1,560.26 万元，项目进度 10%。（4）成都士兰 12 寸硅外延片扩产项目，该项目总投资为 28,966 万元，截至 2021 年 12 月末，已完成项目投资 6,553.21 万元，项目进度 22%。（5）士兰明芯年产 12 万片 LED 芯片改造项目，该项目总投资为 5,400 万元，截至 2021 年 12 月末，已完成项目投资 5,776.90 万元，项目进度 99%。
士兰的IGBT已实现类似INF 5代的水平，目前正在全力上量中，3月已大批量投产。IGBT III 至 V 代技术平台已全系拓展至 12 英寸线 已开始稳定产出，预计年底将增至 1.5 万片/月。
2、车规和工业级功率半导体器件与模块技术（含化合物SiC和GaN的芯片设计、制造、封装）；
4、车规和工业级的信号链（接口、逻辑与开关、运放、模数\数模转换等）混合信号处理电路（含芯片设计和芯片制造）；
5、光电系列产品（发光二极管及其它光电器件的芯片制造及封装技术）等几大方面进行。
等逆变器主要厂商认可，一般来说，阳光的产品验证是最难的，据分析，逆变器IGBT现在和将来会形成三个头部企业，斯达士兰微新洁能；汽车领域，公司 21 年已批量供应零跑、汇川、
、菱电等客户，产品涵盖主驱 IGBT 模块、空调 IGBT 等多种车用半导体器件，目前正在与部分整车厂和 Tier1 配合上量中，预计车载半导体器件将是公司 23 年销售增长的主要来源之一。公司可提供多样化的汽车级 IGBT 模块及分立器件，搭载自主研发最新五代 IGBT 和阳极发射效率控制 FRD 技术芯片，为混合动力汽车及电动汽车设计提供支持。其中 B 系列模块产品能提供基于多种封装的不同版本的车规级模块，以实现电压及功率等级拓展性的最大化，涵盖了 270 A 至 1200 A 以及 650 V 至 1200 V 规格范围，拓展了混动和电动汽车 IGBT 模块的功率区间。2021 年，用于电动汽车主电机驱动的 PIM 模块，已在国内多家客户通过测试。据报道，比亚迪已经正式下单士兰微车规级 IGBT，订单金额达亿元级。公司开发的针对智能手机的快充芯片组，以及针对旅充、移动电源和车充的多协议快充解决方案的系列产品已在国内手机品牌厂商得到应用。此外，公司还布局了 MEMS 传感器，加速度传感器已大批量应用在多数国内手机品牌厂商的智能手机中。2013 年 5 月，推出应用于电焊机和变频器的 IGBT 产品；。2020 年公司的 FS V 代沟槽型 IGBT完成研发，Q3 定型，20 年底即在 12 吋上顺利实现投产。公司的逆导型 RC IGBT也已开发成功且实现量产，可用于电磁炉、微波炉、电饭煲等变频厨电，获得了国内多家电磁炉厂商客户的认可。
从功率产品来看，已由早期二、三极管占绝大比重，逐渐演变为 MOS、IGBT 等占据绝大份额，且其中如MOS 中屏蔽栅、超结等结构也正持续优化。就下游市场来看，过去以家电、手机等消费电子市场占据较高比例，当下随着汽车、光伏等旺盛需求，也正迎来国产替代黄金机遇，如 IGBT 产品方面，公司自主研发的 V 代 IGBT 和 FRD 芯片的电动汽车主电机驱动模块，已在国内多家客户通过测试，并已在部分客户批量供货，且公司正在加快汽车级和工业级功率模块产能的建设。
位列全球MOSFET 分立器件市场第十（2.2%）、IGBT 分立器件市场第十（2.6%）、IPM 模块市场第九（1.6%）。可比公司斯达半导位列 IGBT 模块市场第六（2.8%），
位列 MOSFET分立器件市场第八（3.9%）。8吋的成品率在95-97%；12吋在98-99%。士兰微的5吋和6吋线是很有特色的，做的基本都是相对高端的产品，是8吋12吋生产线吋不存在替代关系、是互补关系。实际上国际大牌半导体公司都保存有大量5吋6吋芯片生产线做的产品。